三星、SK海力士都将在2月20日的ISSCC 2024国际固态电路大会上，首次展示下一代高速GDDR7显存，但规格略有不同。GDDR7显存不仅会按惯例继续提升速度，还会改进功耗，为此引入PAM3、NRZ信号调制机制，能在和GDDR6/6X差不多的功耗上带来更高性能。

1月30日消息，三星宣布，正在开发下一代V9 QLC闪存技术，一举堆叠到280层，容量、性能都实现了巨大的飞跃，预计今年内就会正式推出。 三星V9 QLC闪存的存储密度达到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的长江存储232层QLC 20.62Gb提高了多达36％。